Схема генератора наносекундных импульсов на двух транзисторах
Генераторы высокого напряжения с использованием катушек индуктивности
Схема высокочастотного генератора прямоугольных импульсов приведена на рисунке На транзисторе VT1 выполнен задающий генератор синусоидальных колебаний. Резистором R выбирается оптимальный режим работы генератора по постоянному току при минимальных искажениях формы выходного сигнала. Частота колебаний генератора определяется параметрами резонатора, выполненного на несимметричной полосковой линии. Транзистор VT2, включенный по схеме с общим истоком, служит для ограничения синусоидального сигнала, которое осуществляется, с одной стороны, уровнем питающего напряжения на стоке транзистора, а с другой — использованием прямосмещенного перехода Шотки.
Effective date : Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в импульсных схемах различного назначения. Достигаемый технический результат - повышение надежности работы при возможности многократного повышения частоты импульсов. Генератор импульсов по первому варианту содержит накопительный конденсатор, диод, включенный встречно-параллельно переходу эмиттер-база лавинного транзистора, база которого соединена через ограничительный резистор с источником запирающего напряжения, зарядный дроссель, источник питания, при этом накопительный конденсатор подключен первым выводом к коллектору лавинного транзистора, а вторым выводом через нагрузку соединен с эмиттером лавинного транзистора и общим проводом. Генератор импульсов по второму варианту содержит накопительный конденсатор, ограничительный резистор, зарядный дроссель, один вывод которого подключен к источнику питания, а второй - к коллектору лавинного транзистора, управляющий транзистор, к коллектору которого подсоединен второй вывод ограничительного резистора, причем база управляющего транзистора через стабилитрон соединена с эмиттером лавинного транзистора, а через шунтирующий резистор - со своим эмиттером и общим проводом. Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано там, где удаление излишнего тепла обходится особенно дорого, например в космосе, геофизических исследованиях, а также в импульсных схемах различного назначения.
Для измерения импульсных переходных характеристик и времени нарастания необходимы источники сигналов с короткими фронтами и высоким качеством формы импульсов. Одновременное выполнение этих требований представляет собой непростую задачу, в особенности для субнаносекундного диапазона скоростей. Схема на Рисунке 1, позаимствованная от калибратора осциллографа [ 1 ], отвечает критериям и скорости, и формы. Обратите внимание: чтобы обеспечить правильные уровни управляющих сигналов для транзисторов, IC 1 получает питание от шин земли и —5 В. Q 1 служит управляемой нагрузкой транзисторов Q 2 и Q 3. Когда IC 1 открывает Q 2 , транзистор Q 3 закрывается.
