Схема усилитель мощности ггц
Необходимость уменьшения массогабаритных характеристик, снижения потребляемой мощности широкополосных радиопередающих устройств вынуждает разработчиков модулей СВЧ обращаться к применению в выходных каскадах усилителей мощности современных интегральных компонентов на основе технологии нитрида галлия [1]. Такой вариант значительно упрощает конструкцию усилителя по сравнению с решениями на основе дискретных GaAs-транзисторов [2] при одновременном улучшении основных параметров усилителя.
Усилители мощности
Как обычно, сперва предыстория. И решил я, значит, сделать усилитель сам. Можно было, конечно, полностью собрать с "0" на транзисторах или лампах, но сейчас на дворе не й год, в конце концов! Самодельщики, не обижайтесь! Я сам самодельщик, далал своими руками всё - от первого детекторного приёмника в году и до микропроцессорных блоков управления и синтезаторов частоты в последнее время. Но делать то, что можно без труда недорого купить - считаю довольно большой глупостью и зазряшней потерей драгоценного времени, которого довольно мало и которое можно потратить с б о льшей пользой.
Создание электронной компонентной базы для обеспечения работоспособности твердотельных электронных систем в экстремальных условиях околоземного пространства или в специальной аппаратуре является чрезвычайно актуальной задачей [ 1 , 2 ]. При этом большое значение имеет повышение энергетической эффективности монолитных интегральных схем МИС. Существует ряд областей радиоэлектроники, требующих достижения максимальной выходной мощности в СВЧ-диапазоне при отсутствии дополнительных теплоотводящих элементов, то есть теплообмен только с кристалла МИС для обеспечения минимальных массогабаритных характеристик устройств. Прежде всего, такие требования возникают у разработчиков робототехнических устройств и космических аппаратов.
Освоение промышленного выпуска высоконадежных коммерчески доступных GaN-транзисторов позволило значительно улучшить комплекс параметров широкополосных усилителей мощности при уменьшении технической сложности и себестоимости изделий. В статье рассматривается разработанный авторами современный усилитель мощности диапазона 2—4 ГГц с выходной мощностью более 35 Вт в непрерывном режиме и приводится сравнение его параметров с параметрами разработанного ранее и серийно выпускаемого усилителя на основе GaAs-транзисторов. На рис.